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body = 'Der britische MI6-Geheimagent James Bond (Daniel Craig) richtet bei einer nicht autorisierten Solo-Mission in Mexiko-Stadt Chaos und Verwüstung an, als er den Schurken Marco Sciarra (Alessandro Cremona) tötet. Nach diversen diplomatischen Verwicklungen suspendiert Geheimdienst-Chef M (Ralph Fiennes) 007 vom Dienst, was den Agenten aber nicht davon abhält, seine Jagd nach Sciarras Hintermännern auf eigene Faust fortzusetzen. In Rom nimmt er sich Lucia (Monica Bellucci), die Witwe des Getöteten zur Brust, was ihn schließlich zu einem Treffen der Geheimorganisation Spectre führt. Deren mysteriöser Boss Franz Oberhauser (Christoph Waltz) ist ein alter Bekannter des Agenten. Im MI6 stehen unterdessen die Zeichen auf Umbruch. M wird von Max Denbigh (Andrew Scott), dem neuen Leiter des Centre for National Security, unter Druck gesetzt, das Doppelnull-Programm zu beenden und stattdessen auf den totalen Überwachungsstaat zu setzen. Bond führt seinen Feldzug davon ungerührt fort und gerät bald mit der Hilfe von Quartiermeister Q (Ben Whishaw) und Sekretärin Miss Moneypenny (Naomie Harris) an die Ärztin Madeleine Swann (Léa Seydoux), die Tochter seines Feindes Mr. White (Jesper Christensen). Sie soll ihn seinem Ziel näher bringen: Oberhauser aufzuspüren und zu töten.'
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Die ersten Patente auf das Prinzip des Transistors meldete Julius Edgar Lilienfeld im Jahr 1925 an.[3] Lilienfeld beschreibt in seiner Arbeit ein elektronisches Bauelement, das Eigenschaften einer Elektronenröhre aufweist und im weitesten Sinne mit dem heute als Feldeffekttransistor (FET) bezeichneten Bauelement vergleichbar ist. Zu dieser Zeit war es technisch noch nicht möglich, Feldeffekttransistoren praktisch zu realisieren.[4]
Im Jahr 1934 ließ der Physiker Oskar Heil den Aufbau eines Feldeffekttransistor patentieren, bei dem es sich um einen Halbleiter-FET mit isoliertem Gate handelt.[5] Die ersten praktisch realisierten Sperrschicht-Feldeffekttransistoren JFETs mit einem p-n-Übergang (positiv-negativ) und einem Gate als Steuerelektrode gehen auf Herbert F. Mataré, Heinrich Welker sowie parallel dazu William Shockley und Walter H. Brattain aus dem Jahr 1945 zurück.[6] Der Feldeffekttransistor wurde somit historisch vor dem Bipolartransistor realisiert, konnte sich damals aber noch nicht praktisch durchsetzen. Damals wurden diese Bauelemente noch nicht als Transistor bezeichnet; den Begriff „Transistor“ prägte John R. Pierce im Jahr 1948.[2]
Ab 1942 experimentierte Herbert Mataré bei Telefunken mit dem von ihm als Duodiode (Doppelspitzendiode) bezeichneten Bauelement im Rahmen der Entwicklung eines Detektors für Doppler-Funkmess-Systeme (RADAR). Die von Mataré dazu aufgebauten Duodioden waren Punktkontakt-Dioden auf Halbleiterbasis mit zwei sehr nahe beieinander stehenden Metallkontakten auf dem Halbleitersubstrat. Mataré experimentierte dabei mit polykristallinem Silizium (kurz: Polysilizium), das er von Karl Seiler aus dem Telefunken-Labor in Breslau bezog, und mit Germanium, das er von einem Forschungsteam der Luftwaffe bei München (in dem auch Heinrich Welker mitwirkte) erhielt. Bei den Experimenten mit Germanium entdeckte er Effekte, die sich nicht als zwei unabhängig arbeitende Dioden erklären ließen: Die Spannung an der einen Diode konnte den Strom durch die andere Diode beeinflussen. Diese Beobachtung bildete die Grundidee für die späteren Spitzentransistoren, eine frühe Bauform des Bipolartransistors.
In den Bell Laboratories in den Vereinigten Staaten entwickelte die Gruppe um John Bardeen, William Shockley und Walter Brattain den ersten funktionierenden Bipolartransistor in Form eines Spitzentransistors, der am 23. Dezember 1947 erstmals firmenintern präsentiert werden konnte.[7][8][9] Für die Erfindung des Bipolartransistors erhielten John Bardeen, William Shockley und Walter Brattain 1956 den Nobelpreis für Physik. Da Shockley mit seinem Team einen Bipolartransistor realisiert hatten, welcher nicht auf dem Funktionsprinzip eines Feldeffekttransistors basiert, finden sich in dem US-Patent auch keine Referenzen auf die theoretischen Vorarbeiten von Lilienfeld und Heil aus den 1920er Jahren.[10][11]
Unabhängig von den Arbeiten in den USA entwickelten die beiden Wissenschaftler Herbert Mataré und Heinrich Welker in Frankreich ebenfalls einen funktionsfähigen Bipolartransistor. Sie waren einige Monate später erfolgreich und meldeten dafür am 13. August 1948 in Paris ein Patent an.[12][13][14] Am 18. Mai 1949 wurde diese Entwicklung unter dem Kunstwort „Transistron“ der Öffentlichkeit vorgestellt, der neue Begriff „Transistron“ fand aber in Folge keine wesentliche Verbreitung.[15]
In den Folgejahren folgen weitere, technologische Verbesserungen. So gelang der Gruppe um Gordon Teal, Morgan Sparks und William Shockley bei den Bell Labs im Jahr 1951 die Herstellung eines Flächentransistors, welcher aus nur einem Kristall besteht. Bis dahin waren Bipolartransistoren als Spitzentransistoren aufgebaut.[16]
In den 1950er-Jahren gab es einen Wettlauf zwischen der Elektronenröhre und den damals üblichen Bipolartransistoren, in dem die Chancen des Bipolartransistors wegen der vergleichsweise niedrigen Transitfrequenzen häufig eher skeptisch beurteilt wurden. Die geringe Größe, der geringe Energiebedarf und später die zunehmenden Transitfrequenzen der Transistoren führten jedoch dazu, dass in den 1960er Jahren die Elektronenröhren als Signalverstärker auf fast allen technischen Gebieten abgelöst wurden.
Feldeffekttransistoren spielten im praktischen Einsatz, im Gegensatz zu den ersten Bipolartransistoren, in den 1950er bis in die späten 1960er Jahre noch kaum eine Rolle, obwohl deren theoretischen Grundlagen länger bekannt sind. Feldeffekttransistoren ließen sich mit den damaligen Kenntnissen nicht wirtschaftlich fertigen und waren wegen der Durchschlagsgefahr des Gates durch unbeabsichtigte elektrostatische Entladung umständlich zu handhaben. Zur Lösung der bei bipolaren Transistoren auftretenden Probleme wie Leistungsbedarf und Anforderungen für integrierte Schaltungen beschäftigten sich Entwickler ab etwa 1955 eingehender mit den Halbleiteroberflächen und fanden Fertigungsverfahren wie die Planartechnik, die die Feldeffekttransistoren im Folgejahrzehnt zur Serienreife brachten.
Die ersten handelsüblichen Bipolartransistoren wurden aus dem Halbleitermaterial Germanium hergestellt und ähnlich wie Elektronenröhren in winzige Glasröhrchen eingeschmolzen. Die verschieden dotierten Zonen entstanden mit einem zentralen Germaniumplättchen, in das von beiden Seiten „Indiumpillen“ anlegiert waren.[17][18] Letztere drangen damit tief in das Grundmaterial ein, in der Mitte blieb aber eine Basisstrecke gewünschter Dicke frei. Im Jahr 1954 kamen Bipolartransistoren aus Silizium auf den Markt (Gordon Teal bei Texas Instruments und Morris Tanenbaum an den Bell Labs). Dieses Grundmaterial war einfacher verfügbar und preisgünstiger. Seit den späten 1960er Jahren kamen großteils Metall- oder Kunststoffgehäuse zur Anwendung. Einsatzbereiche lagen zunächst in der analogen Schaltungstechnik wie den damals aufkommenden Transistorradios. Das Basismaterial Germanium wurde in Folge verstärkt durch das technisch vorteilhaftere Silizium ersetzt, das einen größeren Arbeitstemperaturbereich bei wesentlich geringeren Restströmen abdeckte und durch die Siliziumdioxid-Passivierung langzeitstabiler in den elektrischen Kennwerten gegenüber Germanium ist.
Der erste auf Galliumarsenid basierende Feldeffekttransistor, sogenannte MESFET, wurde 1966 von Carver Mead entwickelt.[19] Dünnschichttransistoren (engl. thin film transistor, abgekürzt TFT) wurden bereits 1962 von P. Weimer entwickelt, konnten aber erst rund 30 Jahre später im Bereich heute üblicher farbiger TFT-Displays einen Anwendungsbereich finden.[20]
Werden alle Transistoren in sämtlichen bislang hergestellten Schaltkreisen wie Arbeitsspeicher, Prozessoren usw., zusammengezählt, ist der Transistor inzwischen diejenige technische Funktionseinheit, die von der Menschheit in den höchsten Gesamtstückzahlen produziert wurde und wird. Moderne integrierte Schaltungen, wie die in Personal Computern eingesetzten Mikroprozessoren, bestehen aus vielen Millionen bis Milliarden Transistoren.
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Ein Betriebssystem, auch OS (von englisch operating system) genannt, ist eine Zusammenstellung von Computerprogrammen, die die Systemressourcen eines Computers, wie Arbeitsspeicher, Festplatten, Ein- und Ausgabegeräte verwaltet und diese Anwendungsprogrammen zur Verfügung stellt.
Das Betriebssystem bildet dadurch die Schnittstelle zwischen den Hardware-Komponenten und der Anwendungssoftware des Benutzers.[2] Betriebssysteme bestehen in der Regel aus einem Kernel (deutsch: Kern), der die Hardware des Computers verwaltet, sowie speziellen Programmen, die beim Start unterschiedliche Aufgaben übernehmen.
Zu diesen Aufgaben gehört unter anderem das Laden von Gerätetreibern. Betriebssysteme finden sich in fast allen Arten von Computern:
Als Echtzeitbetriebssysteme auf Prozessrechnern und Eingebetteten Systemen, auf Personal Computern, Tabletcomputern, Smartphones und auf größeren Mehrprozessorsystemen wie z. B. Servern und Großrechnern.
Die Aufgaben eines Betriebssystems lassen sich wie folgt zusammenfassen: Benutzerkommunikation; Laden, Ausführen, Unterbrechen und Beenden von Programmen; Verwaltung und Zuteilung der Prozessorzeit; Verwaltung des internen Speicherplatzes für Anwendungen; Verwaltung und Betrieb der angeschlossenen Geräte; Schutzfunktionen z. B. durch Zugriffsbeschränkungen.
Die Gewichtung zwischen diesen Aufgaben wandelte sich im Laufe der Zeit, insbesondere wird Schutzfunktionen wie dem Speicherschutz oder begrenzten Benutzerrechten heute eine höhere Bedeutung zugemessen als noch in den 1990er Jahren.
Dies macht Systeme allgemein robuster, reduziert z. B. die Zahl der Programm- und Systemabstürze und macht das System auch stabiler gegen Angriffe von außen, etwa durch Computerviren.
Dieser Artikel behandelt den Begriff „Betriebssystem“ hauptsächlich im Kontext „allgemein zur Informationsverarbeitung verwendete Computersysteme“. Daneben sind Betriebssysteme (mit ggf. spezialisierter Funktionalität) grundsätzlich in nahezu allen Geräten im Einsatz, in denen Software betrieben wird (wie Spielecomputer, Mobiltelefone, Navigationssysteme, Maschinen der Maschinenbaubranchen u. v. a.).
Auch viele Steuerungssysteme (eingebettetes System) die z. B. in Flugzeugen, Autos, Zügen, oder in Satelliten zu finden sind, besitzen spezialisierte Betriebssysteme.
"""
docx = nlp(doc)
#Technik um ein Vokabular anzulegen
all_words = [word.text for word in docx]
Freq_word={}
for w in all_words:
w1=w.lower()
if w1 not in extra_words and w1.isalpha():
if w1 in Freq_word.keys():
Freq_word[w1]+=1
else:
Freq_word[w1]=1
#Überschrift-Generierung:
val=sorted((Freq_word.values()))
max_freq = val[-3:]
print("Thema des Dokuments:-")
for word, freq in Freq_word.items():
if freq in max_freq:
print(word, end="")
else:
continue
#TFIDF - Term Frequency - Inve Freq_word.keys():rse Document Frequency: Maß, um die Wichtigkeit eines Wortes im Dokument ausfindig zu machen
for word in
Freq_word[word] = (Freq_word[word]/max_freq[-1])
#Sentence Strength - Vergibt jedem Satz im Dokument eine Gewichtung
sent_strength={}
for sent in docx.sents:
for word in sent:
if word.text.lower() in Freq_word.keys():
if sent in sent_strength.keys():
sent_strength[sent]+=Freq_word[word.text.lower()]
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sent_strength[sent]=Freq_word[word.text.lower()]
else:
continue
# Getting strong sentences - um die wichtigsten Sätze herauszufiltern
The US has "passed the peak" on new coronavirus cases, President Donald Trump said and predicted that some states would reopen this month.
The US has over 637,000 confirmed Covid-19 cases and over 30,826 deaths, the highest for any country in the world.
At the daily White House coronavirus briefing on Wednesday, Trump said new guidelines to reopen the country would be announced on Thursday after he speaks to governors.
"We'll be the comeback kids, all of us," he said. "We want to get our country back."
The Trump administration has previously fixed May 1 as a possible date to reopen the world's largest economy, but the president said some states may be able to return to normalcy earlier than that.
"""
preprocess_text = text.strip().replace("\n","")
t5_prepared_Text = "summarize: "+preprocess_text
print ("original text preprocessed: \n", preprocess_text)
„Interstellar“ ist nicht gerade ein Schnellschuss. Erste Pläne zu dem Science-Fiction-Epos gab es bereits 2006, damals war noch Steven Spielberg für die Regie vorgesehen. Ein Jahr später wurde Christopher Nolans Bruder Jonathan angeheuert, um das Drehbuch zu schreiben, doch auch nachdem Spielberg längst ausgestiegen war, sollte es bis 2012 dauern, bis jemand auf die naheliegende Idee kam, den „Inception“- und „The Dark Knight“-Regisseur selbst auch mit ins Boot zu holen. Von diesem Moment an haben viele Fans ein zweites „2001 - Odyssee im Weltraum“ oder besser noch die filmische Quadratur des Kreises erwartet - nicht mehr und nicht weniger. Und auch wenn „Interstellar“ diesem Anspruch nicht ganz standhält, fügt der Meisterregisseur seiner Filmografie doch einen ebenso einzigartigen wie unerwarteten weiteren Meilenstein hinzu: eine sakrale Weltraum-Oper, in der große Gefühle wichtiger sind als bahnbrechende Effekte. Obwohl es um nichts weniger als den Überlebenskampf der Menschheit geht, legt Nolan seinen Film zunächst als intimes Familiendrama an, um schließlich in der zweiten Hälfte buchstäblich in neue Dimensionen vorzustoßen: Er erkundet die Rätsel des Universums und überwältigt dabei mit grandiosen Bildern und einer Emotionalität, die man aus seinen Werken bisher kaum kannte.
In der nahen Zukunft: Die Menschheit stirbt. Langsam, aber scheinbar unausweichlich. Das Klima hat sich verändert, die Nahrungsmittel werden immer knapper, Wissenschaft und Staat sind auf dem Rückzug. Wer überleben will, wird Farmer. Der zweifache Vater und Witwer Cooper (Matthew McConaughey) bewirtschaftet mitten im Nirgendwo des amerikanischen Korngürtels riesige Maisfelder, um seine Kinder Murph (Mackenzie Foy) und Tom (Timothée Chalamet) sowie seinen Schwiegervater Donald (John Lithgow) zu ernähren. Doch Cooper hasst es, Farmer zu sein, er ist Ingenieur und flog früher für die NASA Raumschiffe. Ein unerklärliches Phänomen bringt ihn und seine zehnjährige Tochter einem Geheimnis auf die Spur: NORAD, das US-Luft- und Weltraum-Verteidigungskommando, existiert entgegen der allgemeinen Annahme noch. Unter Leitung von Professor Brand (Michael Caine) arbeiten Regierung und NASA verborgen unter der Erde an einem Plan, die Menschheit zu retten. Cooper schließt sich der Mission an, die Richtung Saturn aufbricht, um dort durch ein Wurmloch in eine andere Galaxie vorzustoßen und nach neuen Kolonien zu suchen. Mit an Bord sind Wissenschaftler und Astronauten: Brands Tochter Amelia (Anne Hathaway), Doyle (Wes Bentley) und Romilly (David Gyasi). Schweren Herzens lässt Cooper seine Familie zurück: Er weiß, dass es für ihn kaum eine Rückkehr geben wird.
